| Ваш IP: 3.135.206.212 | Online(55) - гости: 5, боты: 50 | Загрузка сервера: 0.66 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB268
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SB268

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FUJITSU
  • Корпус: TO7
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
SFT321 Gepnp200mW24V18V12V250mA700KHz30TO1
SFT322 Gepnp200mW24V18V12V250mA700KHz50TO1
SFT323 Gepnp200mW24V18V12V250mA1MHz85TO1
Просмотров: 3 092 890