| Ваш IP: 3.144.110.194 | Online(38) - гости: 14, боты: 24 | Загрузка сервера: 0.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK8A60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры полевого транзистора TK8A60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.5 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 18.5 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK7A60W5 MOSFETN-channel30W600V7A0.65 ОмTO-220SIS
TK8A60W5 MOSFETN-channel30W600V8A0.54 ОмTO-220SIS
TK10A60W5 MOSFETN-channel30W600V9.7A0.45 ОмTO-220SIS
TK7A60W MOSFETN-channel30W600V7A0.6 ОмTO-220SIS
TK10A60W MOSFETN-channel30W600V9.7A0.38 ОмTO-220SIS
Просмотров: 1 051 203