| Ваш IP: 13.58.80.48 | Online(32) - гости: 15, боты: 17 | Загрузка сервера: 1.37 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK10V60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры полевого транзистора TK10V60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 88.3W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.7A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.38 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 20 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DFN 8×8
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK8P60W MOSFETN-channel80W600V8A0.5 ОмDPAK
TK8P60W5 MOSFETN-channel80W600V8A0.56 ОмDPAK
TK10P60W MOSFETN-channel80W600V9.7A0.43 ОмDPAK
TK8Q60W MOSFETN-channel80W600V8A0.5 ОмIPAK
TK10E60W MOSFETN-channel100W600V9.7A0.38 ОмTO-220
Просмотров: 1 051 256