| Ваш IP: 3.235.75.174 | Online(44) - гости: 22, боты: 22 | Загрузка сервера: 1.72 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTP10N40F1D
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора HGTP10N40F1D

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 75W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 12A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 45/130nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTP14N40F3VLN-Channel83W400V2V400V±10V14A16µSTO220
HGTP6N40E1DN-Channel75W400V2.9V400V±20V10A90/24nSTO220
G6N40E1DN-Channel75W400V2.9V400V±20V10A90/24nSTO220
HGTP10N40C1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
10N40C1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N40E1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
10N40E1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V10A50/400nSTO220
10N40F1DN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSTO220
HGTD10N40F1N-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSIPAK
HGTD10N40F1SN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
HGTD10N40F1S9AN-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
G10N40N-Channel75W400V2.5V400V±20V12A45/130nSDPAK
Просмотров: 83 308