| Ваш IP: 18.232.38.214 | Online(30) - гости: 19, боты: 11 | Загрузка сервера: 1.27 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора G10N50C1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора G10N50C1

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 10A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
  • Время включения/выключения (Fr): 50/400nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTP10N40C1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N40E1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
G10N40E1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
G10N40C1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N50E1N-Channel60W500V4.5V500V±20V10A50/400nSTO220
HGTP10N50C1N-Channel60W500V4.5V500V±20V10A50/400nSTO220
G10N50E1N-Channel60W500V4.5V500V±20V10A50/400nSTO220
Просмотров: 81 889