| Ваш IP: 18.232.38.214 | Online(32) - гости: 21, боты: 11 | Загрузка сервера: 1.01 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KTD1003B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора KTD1003B

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
  • Производитель: KEC
  • Корпус: SOT89
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SD1917 Sinpn500mW60V--1A-20000TO126
BSS24 Sinpn500mW60V####1A##50 (min) TO100
BSXP65 Sinpn500mW60V--1A-40 ... 120TO18
BSXP66 Sinpn500mW60V--1A-40 ... 120TO18
BSXP67 Sinpn500mW60V--1A-20 ... 60TO18
Просмотров: 130 527