| Ваш IP: 35.173.234.140 | Online(34) - гости: 17, боты: 16 | Загрузка сервера: 1.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK17E65W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK17E65W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 165W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 650V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 17.3A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.2 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 45 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: TO-220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK16V60W MOSFETN-channel139W600V15.8A0.19 ОмDFN 8×8
TK20V60W MOSFETN-channel156W600V20A0.17 ОмDFN 8×8
TK20N60W MOSFETN-channel165W600V20A0.155 ОмTO-247
TK17N65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-247
TK20J60W MOSFETN-channel165W600V20A0.155 ОмTO-3P(N)
TK20J60W5 MOSFETN-channel165W600V20A0.175 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 190 043