| Ваш IP: 18.207.249.15 | Online(54) - гости: 28, боты: 26 | Загрузка сервера: 0.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK12E60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK12E60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 110W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: TO-220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK14G65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмD2PAK
TK14G65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмD2PAK
TK10V60W MOSFETN-channel88.3W600V9.7A0.38 ОмDFN 8×8
TK12V60W MOSFETN-channel104W600V11.5A0.3 ОмDFN 8×8
TK12P60W MOSFETN-channel100W600V11.5A0.34 ОмDPAK
TK14C65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмI2PAK
TK14C65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмI2PAK
TK12Q60W MOSFETN-channel100W600V11.5A0.34 ОмIPAK
TK10E60W MOSFETN-channel100W600V9.7A0.38 ОмTO-220
TK14E65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмTO-220
TK14E65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмTO-220
TK14N65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмTO-247
TK14N65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмTO-247
TK12J60W MOSFETN-channel110W600V11.5A0.3 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 189 244