| Ваш IP: 35.173.234.140 | Online(32) - гости: 14, боты: 17 | Загрузка сервера: 2.79 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK14C65W5
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK14C65W5

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 130W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 650V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 13.7A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.3 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 40 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: I2PAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK16G60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмD2PAK
TK16G60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмD2PAK
TK14G65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмD2PAK
TK14G65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмD2PAK
TK12V60W MOSFETN-channel104W600V11.5A0.3 ОмDFN 8×8
TK16V60W MOSFETN-channel139W600V15.8A0.19 ОмDFN 8×8
TK14C65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмI2PAK
TK16E60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмTO-220
TK16E60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмTO-220
TK12E60W MOSFETN-channel110W600V11.5A0.3 ОмTO-220
TK14E65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмTO-220
TK14E65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмTO-220
TK16N60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмTO-247
TK16N60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмTO-247
TK14N65W MOSFETN-channel130W650V13.7A0.25 ОмTO-247
TK14N65W5 MOSFETN-channel130W650V13.7A0.3 ОмTO-247
TK16J60W5 MOSFETN-channel130W600V15.8A0.23 ОмTO-3P(N)
TK16J60W MOSFETN-channel130W600V15.8A0.19 ОмTO-3P(N)
TK12J60W MOSFETN-channel110W600V11.5A0.3 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 190 057