| Ваш IP: 35.171.45.91 | Online(39) - гости: 24, боты: 15 | Загрузка сервера: 2.15 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK6P60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK6P60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.2A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.82 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 12 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK7P60W5 MOSFETN-channel60W600V7A0.67 ОмDPAK
TK5P60W MOSFETN-channel60W600V5.4A0.9 ОмDPAK
TK7P60W MOSFETN-channel60W600V7A0.6 ОмDPAK
TK5Q60W MOSFETN-channel60W600V5.4A0.9 ОмIPAK
TK6Q60W MOSFETN-channel60W600V6.2A0.82 ОмIPAK
Просмотров: 188 893