| Ваш IP: 35.173.234.140 | Online(39) - гости: 21, боты: 18 | Загрузка сервера: 1.73 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK12P60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK12P60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 11.5A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.34 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK10V60W MOSFETN-channel88.3W600V9.7A0.38 ОмDFN 8×8
TK12V60W MOSFETN-channel104W600V11.5A0.3 ОмDFN 8×8
TK10P60W MOSFETN-channel80W600V9.7A0.43 ОмDPAK
TK12Q60W MOSFETN-channel100W600V11.5A0.34 ОмIPAK
TK10E60W MOSFETN-channel100W600V9.7A0.38 ОмTO-220
TK12E60W MOSFETN-channel110W600V11.5A0.3 ОмTO-220
TK12J60W MOSFETN-channel110W600V11.5A0.3 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 190 030