| Ваш IP: 18.207.249.15 | Online(39) - гости: 19, боты: 20 | Загрузка сервера: 0.88 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK10P60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK10P60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 80W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.7A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.43 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 20 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK10V60W MOSFETN-channel88.3W600V9.7A0.38 ОмDFN 8×8
TK8P60W MOSFETN-channel80W600V8A0.5 ОмDPAK
TK8P60W5 MOSFETN-channel80W600V8A0.56 ОмDPAK
TK8Q60W MOSFETN-channel80W600V8A0.5 ОмIPAK
Просмотров: 189 227