| Ваш IP: 18.207.249.15 | Online(50) - гости: 26, боты: 24 | Загрузка сервера: 0.85 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK20V60W
Онлайн справочник - Полевые транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры полевого транзистора TK20V60W

  • Структура (технология): MOSFET
  • Тип канала: N-channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 156W
  • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
  • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
  • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.17 Ом
  • Суммарный заряд затвора (Qg): 48 нКл
  • Производитель: Toshiba
  • Тип корпуса: DFN 8×8
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
Похожие по параметрам:
Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
TK17E65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-220
TK20N60W MOSFETN-channel165W600V20A0.155 ОмTO-247
TK17N65W MOSFETN-channel165W650V17.3A0.2 ОмTO-247
TK20J60W MOSFETN-channel165W600V20A0.155 ОмTO-3P(N)
TK20J60W5 MOSFETN-channel165W600V20A0.175 ОмTO-3P(N)
Просмотров: 189 240