| Ваш IP: 54.80.247.119 | Online(23) - гости: 12, боты: 11 | Загрузка сервера: 4.11 ::::::::::::

Радиационные технологии. Применения в лабораторных исследованиях, материаловедении и нанотехнологиях

Ободовский Илья Михайлович

Ранее вышедшая книга "Физические основы радиационных технологий" рассматривает вопросы потери Энергии различных видов излучений в веществе. Данное учебное пособие анализирует, как вещество эту энергию воспринимает и как воздействие излучений на вещество используется в разнообразных применениях. В книге подробно анализируются эффекты, возникающие в различных веществах, например, в кристаллах, полимерах, стекле, керамике, под действием облучения. Значительное внимание уделено решению задач анализа состава и структуры вещества. Рассматривается роль радиации в синтезе и модифицировании веществ, описаны варианты радиационной обработки, полимеризация без катализаторов и химических инициаторов, холодный крекинг нефти, вулканизация резинотехнических изделий, изготовление нанопористых структур. Важные разделы связаны с влиянием радиации на биологические структуры. Сюда относятся стерилизация медицинской, пищевой, фармацевтической продукции, обеззараживание отходов лечебно-профилактических учреждений, пастеризация и дезинсекция продуктов питания, очистка стоков сельскохозяйственных предприятий. Большое внимание уделено обоснованию выбора определенного вида излучения и способа его аппаратурной реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, аспирантов и преподавателей инженерно-физических и технических специальностей, для инженеров и специалистов различных отраслей промышленности.

Издательство: ИД Интеллект 2015

978-5-91559-180-5

Цена: 2031 руб. 

Наличие: На складе

Подробнее…

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Индикаторы потребляемой мощности

    Основой индикаторов потребляемой мощности является трансформатор тока, на один из сетевых проводов надевают кольцевой магнитопровод с обмоткой который и образует трансформатор тока. В трансформаторе тока сетевой провод является первичной обмоткой, а обмотка на магнитопроводе вторичной. При подключении нагрузки через сетевой провод протекает ток и на вторичной обмотке появляется переменное напряжение. …Подробнее...
  • УМЗЧ на 50Вт на полевых MOSFET транзисторах

    УМЗЧ на 50Вт на полевых MOSFET транзисторах

    На рисунке показана схема 50 Вт усилителя с выходными полевыми MOSFET транзисторами. Первый каскад усилителя представляет собой дифференциальный усилитель на транзисторах VT1 VT2. Второй каскад усилителя состоит из транзисторов VT3 VT4. Оконечный каскад усилителя состоит из МОП-транзисторов IRF530 и IRF9530. Выход усилителя через катушку L1 соединен с нагрузкой 8 Ом. Цепь состоящий …Подробнее...
  • Импульсные регуляторы напряжения MC34063A, MC33063A, NCV33063A

    Импульсные регуляторы напряжения MC34063A, MC33063A, NCV33063A

    Импульсные регуляторы напряжения MC34063A, MC33063A, NCV33063A — специально разработанные микросхемы для DC-DC преобразователей с минимальным количеством внешних элементов. Технические параметры Диапазон входных напряжений 3…40 В Диапазон выходных напряжений 1.25…40 В Максимальный выходной ток 1.5 А Рабочая частота 33 кГц На рисунках показаны типовые схемы подключения регуляторов напряжения, повышающий, понижающий и инверсный. Основные элементы …Подробнее...
  • Акустическое реле

    Акустическое реле

    Акустическое реле может работать от любого стабилизированного источника питания 5…12В. Акустическое реле срабатывает от любого громкого звука (хлопка), содержит минимальное кол-во элементов, коммутирует нагрузку в зависимости от типа выбранного реле. R1 определяет чувствительность акустического реле. В качестве датчика выбран электретный микрофон. Оригинал статьи и схемы — http://www.electroschematics.com/704/sound-activated-switch/Подробнее...
  • К140УД2А, К140УД2Б (справочные данные)

    К140УД2А, К140УД2Б (справочные данные)

    К140УД2А, К140УД2Б относят к ОУ средней точности. Электрические параметры: Uпит. ном — 2*12,6В (А), 2*6,3 (Б) I пот — 16мА (А), 10мА(Б) Ku — 35*10³(А), 3*10³(Б) Uсм — 5мВ Iвх — 700нА ΔIвх — 150нА Кос.сф — 60дБ f1 — 1МГц Vu — 0,2В/мкс Uвых.мах — 10В(А), 3В(Б) Rвх — …Подробнее...